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科技日報北京2月24日電 （記者張佳欣）美國麻省理工學院網(wǎng)站日前發(fā)布音訊稱，該學院的研討團隊開宣布一種根據(jù)芯片的太赫茲放大器-倍增器體系。該體系克服了現(xiàn)有技能約束，無需硅透鏡即可完成更高的輻射功率。

太赫茲波長比無線電波更短、頻率更高，運用這種波可完成更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更準確的醫(yī)學成像作用和更高分辨率的雷達體系。但是，要在半導體芯片上有用生成太赫茲波很困難。

現(xiàn)在生成太赫茲波技能大多選用體積巨大且價格昂貴的硅透鏡，不然無法發(fā)生滿足輻射功率以供實踐運用。但硅透鏡往往比芯片自身還要大，這使得太赫茲波源難以集成到電子設備中。

生成太赫茲波還有一種方法是運用互補金屬氧化物半導體芯片的放大器-倍增器鏈，它能將無線電波的頻率增加到太赫茲規(guī)劃。為了到達最佳功能，波會穿過硅芯片并終究從反面發(fā)射到空氣中。但是，一個名為介電常數(shù)的特性阻止了波的平穩(wěn)傳輸。

介電常數(shù)影響電磁波與資料的相互作用，會影響被吸收、反射或傳輸?shù)妮椛淞俊Ｒ驗楣璧慕殡姵?shù)遠高于空氣，因而大多數(shù)太赫茲波會在硅-空氣鴻溝處被反射，而非順暢地從反面發(fā)射出去。

此次，團隊運用了被稱為“匹配”的機電理論，企圖平衡硅和空氣的介電常數(shù)，使鴻溝處反射的信號量最小化。他們在芯片反面貼了一張薄且?guī)D畫的資料片。有了它作為匹配片，大多數(shù)波都將從反面發(fā)射出去。他們還運用英特爾開發(fā)的特別晶體管制作芯片，這些晶體管的最高頻率和擊穿電壓均高于傳統(tǒng)互補金屬氧化物晶體管。終究，他們制作出了一種更高效且可擴展的根據(jù)芯片的太赫茲波發(fā)生器。

芯片發(fā)生的太赫茲信號峰值輻射功率為11.1分貝毫瓦，在現(xiàn)有技能中處于領先地位。因為這種低成本芯片可大規(guī)劃制作，因而更簡單集成到現(xiàn)有電子設備中，例如運用于檢測躲藏物體的改進型安檢掃描儀，或用于準確定位空氣中的污染物的環(huán)境監(jiān)測器等。